Институту физики полупроводников присвоено имя первого директора

Президиум Российской академии наук постановил присвоить Институту физики полупроводников СО РАН имя академика Анатолия Васильевича Ржанова — выдающегося ученого, организатора и первого директора института, сообщает «Наука в Сибири».

Академик А.В. Ржанов возглавлял одну из четырех групп, которые в 1953 г. создали первый отечественный полупроводниковый транзистор. В 1962 г. он принял приглашение М.А. Лаврентьева переехать в новосибирский Академгородок, где с группой своих сотрудников организовал Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники, в 1964 г. трансформировавшийся в Институт физики полупроводников.

Основной тематикой ИФП А.В. Ржанов определил развитие физики поверхности полупроводников и тонких пленок. Именно благодаря правильности выбора А.В. Ржанова институт превратился в крупный исследовательский центр с широким фронтом работ в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, технологий полупроводниковой электроники.

НГС.БИЗНЕС

АФИША

SHE

НГС.НЕДВИЖИМОСТЬ

АВТО

НГС.РАБОТА

Лента новостей


Авторские колонки

Реклама
Реклама

Сообщи свою новость

Здесь вы можете оставить информацию, фотографии и видео с любыми событиями, свидетелями которых вы стали, обо всём, что происходит в городе и области. Ждём. Мы работаем для вас!
Ваше имя
Сообщите новостьПрикрепите доказательства: ссылки на видео и аудио вставьте в текст сообщения, загрузите фото
Фото
Эл. почта или телефон
Докажите что вы не робот
Ваше сообщение отправлено